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MBRT12035

Mfr# MBRT12035
Mfr. GeneSiC Semiconductor
विवरण DIODE MODULE 35V 120A 3TOWER
RoHs स्थिति लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
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भाग संख्या MBRT12035
उत्पादक GeneSiC Semiconductor
विवरण DIODE MODULE 35V 120A 3TOWER
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा 813 pcs
डाटा शीट 1.MBRT12035.pdf 2.MBRT12035.pdf
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 750mV @ 60A
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 35V
प्रदायक डिवाइस पैकेज Three Tower
गति Fast Recovery = 200mA (Io)
शृंखला -
पैकेजिंग Bulk
पैकेज / प्रकरण Three Tower
दुसरे नाम MBRT12035GN
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -55°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार Chassis Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
निर्माता मानक लीड टाइम 4 Weeks
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति Lead free / RoHS Compliant
डायोड प्रकार Schottky
डायोड विन्यास 1 Pair Common Cathode
विस्तृत विवरण Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 120A (DC) Chassis Mount Three Tower
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 1mA @ 20V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) 120A (DC)

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