70V658S10BF8

Mfr#	70V658S10BF8
Mfr.	IDT (Integrated Device Technology)
विवरण	IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
RoHs स्थिति	लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
अधिक जानकारी	IDT (Integrated Device Technology) 70V658S10BF8 के बारे में अधिक जानकारी दें

डाटा शीट	1.70V658S10BF8.pdf
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विवरण

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~~स्टॉक में:~~449 pcs
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उत्पाद पैरामीटर
संबंधित उत्पाद

भाग संख्या	70V658S10BF8
उत्पादक	IDT (Integrated Device Technology)
विवरण	IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस	लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
उपलब्ध मात्रा	449 pcs
डाटा शीट	1.70V658S10BF8.pdf 2.70V658S10BF8.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ	10ns
वोल्टेज आपूर्ति	3.15 V ~ 3.45 V
प्रौद्योगिकी	SRAM - Dual Port, Asynchronous
प्रदायक डिवाइस पैकेज	208-CABGA (15x15)
शृंखला	-
पैकेजिंग	Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण	208-LFBGA
दुसरे नाम	IDT70V658S10BF8 IDT70V658S10BF8-ND
परिचालन तापमान	0°C ~ 70°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार	Volatile
मेमोरी का आकार	2Mb (64K x 36)
मेमोरी इंटरफेस	Parallel
मेमोरी प्रारूप	SRAM
निर्माता मानक लीड टाइम	10 Weeks
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति	Contains lead / RoHS non-compliant
विस्तृत विवरण	SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15)
आधार भाग संख्या	IDT70V658
अभिगम समय	10ns